【摘 要】
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无掩膜版直接图形化制备非晶氧化物场效应晶体管的方法在透明电子学领域受到了广泛关注.提出了一种简易可行的采用电流体打印技术制备高性能的铟锌氧化物In-Zn-O(IZO)底栅型场效应晶体管.在氧化物表面打印自组装单分子膜作为湿法刻蚀的化学保护层,制备了轮廓清晰的线条型IZO场效应晶体管.直写式制备的底栅型IZO晶体管展现了优良的电学性能:极低的漏电流(＜1nA)、高电子迁移率[2.0cm2/(V·s)]、合理的通断比(3.1×104)和较高的器件稳定性.实验结果为无掩膜版制备高性能氧化物晶体管提供了全新的方法
【机 构】
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常州大学微电子与控制工程学院,江苏,常州,213164;中芯长电半导体(江阴)有限公司,江苏,江阴,214400
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无掩膜版直接图形化制备非晶氧化物场效应晶体管的方法在透明电子学领域受到了广泛关注.提出了一种简易可行的采用电流体打印技术制备高性能的铟锌氧化物In-Zn-O(IZO)底栅型场效应晶体管.在氧化物表面打印自组装单分子膜作为湿法刻蚀的化学保护层,制备了轮廓清晰的线条型IZO场效应晶体管.直写式制备的底栅型IZO晶体管展现了优良的电学性能:极低的漏电流(＜1nA)、高电子迁移率[2.0cm2/(V·s)]、合理的通断比(3.1×104)和较高的器件稳定性.实验结果为无掩膜版制备高性能氧化物晶体管提供了全新的方法.
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