以铝为助剂结合放电等离子烧结制备Ti3SiC2

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【摘要】

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以铝为助剂结合放电等离子烧结工艺,在较低温度下快速制备出高纯致密Ti3SiC2块体材料.掺加适量铝能加快Ti3SiC2的反应合成,提高制备材料的纯度,并促进Ti3SiC2晶体的生长和材

【作者】

：

朱教群梅炳初陈艳林

【机构】

：

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

铝 TI3SIC2 制备放电等离子烧结 aluminium Ti3SiC2 fabrication spark plasma sintering

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以铝为助剂结合放电等离子烧结工艺,在较低温度下快速制备出高纯致密Ti3SiC2块体材料.掺加适量铝能加快Ti3SiC2的反应合成,提高制备材料的纯度,并促进Ti3SiC2晶体的生长和材料的快速烧结致密.在升温速率为80℃/min,z轴压力为30MPa时,材料制备的最佳温度为1200～1250℃.所制备材料经XRD、SEM和EDS分析表明不含TiC和SiC等杂质相,Ti3SiC2为5～25μm的板状结晶.

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