高T_c铋层状压电陶瓷结构与性能

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综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究.铋层状压电陶瓷的结构由(Bi2O2)2+层和钙钛矿层(Am-1BmO3m+1)2-按一定规则共生排列而成.此处 A为适合干 12配位的离子;B为适合于八面体配位的离子,m为一整数,其值一般为1~5.与钛酸钡(BaTiO3)或锆钛酸铅(PZT)陶瓷相比,铋层状压电陶瓷具有以下特点:低介电常数、高Tc、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率等. 先前研究证明,居里温度不仅与极化原子位移、自发极化强度、A位Bi含量有关,而且还与取代离子的特性诸如离子半径、电负性、核外电子排布有关.压电活性低是铋层状陶瓷的本质缺点,通常发展该材料的途径为化学取代或晶粒取向技术.研究材料结构与性能之间的关系有助于发展铋层状压电陶瓷材料.
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