【摘 要】
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利用水相合成法制备Cu：Zn Se量子点。采用表面光伏技术和紫外-可见吸收光谱,辅以高分辨透射电子显微镜,激光拉曼谱和X射线衍射图谱,研究掺杂铜对于Cu：Zn Se量子点微结构和光生
【机 构】
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燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室
【基金项目】
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河北省自然科学基金资助项目（E2017203029,E2013203296）
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利用水相合成法制备Cu：Zn Se量子点。采用表面光伏技术和紫外-可见吸收光谱,辅以高分辨透射电子显微镜,激光拉曼谱和X射线衍射图谱,研究掺杂铜对于Cu：Zn Se量子点微结构和光生电荷转移跃迁行为的影响。结果表明,掺铜后Cu：Zn Se量子点主带隙电荷转移跃迁产生的SPV响应强度比未掺铜Zn Se量子点高一倍。Cu：Zn Se量子点对应的主带隙表面光伏响应峰发生明显红移,表明铜掺杂态的电子能级位于导带底附近,并具有受体能级特征。研究发现,由于掺杂Cu^2＋离子导致Zn Se量子点光学带隙变小,而且变小的
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