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控制超导铜氧化合物的临界温度Tc,不仅具有深远的实用意义,而且对高Tc超导电性的机制的解释也是十分有价值的.因此,本文的目的是:研究进一步提高Tc记录的可能性;以及发展一些控制和最佳化Hg系超导体的Tc的技术与方法.文中最后还给出了:(Hg,Pb1223)超导化合物的Tc-p相图、TcR=0=135K、Tcdia=143K,以及最佳空穴浓度P0=0.30hole/CuO2.