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半导体光电器件中的减反射膜

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shtduswh
【摘 要】
：
用电子束蒸发技术制备了 GaAlAs/GaAs 和 InGaAsP/InP 发光管的减反射膜。从不同的 LED 和膜厚所获得的结果表明:0.85μm 或0.9μm GaAlAs/GaAsLED 端面上的单层(λ/4)Al_2O_
【作 者】
：
王剑格 罗江财 杨连生 
【机 构】
：
重庆光电技术研究所,重庆光电技术研究所永川632163助工,永川632163
【出 处】
：
半导体光电
【发表日期】
：
1993年2期
【关键词】
：
发光二极管 光输出功率 高增透膜 Antireflection Coating Light Emitting Diode Optical Output Po 
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用电子束蒸发技术制备了 GaAlAs/GaAs 和 InGaAsP/InP 发光管的减反射膜。从不同的 LED 和膜厚所获得的结果表明:0.85μm 或0.9μm GaAlAs/GaAsLED 端面上的单层(λ/4)Al_2O_3 AR 膜,能使之明显地增加输出光功率,其输出功率在50mA 和100mA 电流下通常可以增加25%～35%,最大达50%。但1.3μm 的InGaAsP/InP LED 上,单层的 ZrO_2 AR 膜比 Al_2O_3 AR 膜好。最后讨论了与输出功率和膜厚有关的问题。
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