【摘 要】
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用CWCO_2激光诱发SiH_4反应,在石英基片上淀积多晶硅膜,它的Raman谱表明,激光诱发反应时间越长,结晶度越高.SEM 结果表明,不同淀积时间,表面结构差异较大.薄厚台阶仪测出不同
【机 构】
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用CWCO_2激光诱发SiH_4反应,在石英基片上淀积多晶硅膜,它的Raman谱表明,激光诱发反应时间越长,结晶度越高.SEM 结果表明,不同淀积时间,表面结构差异较大.薄厚台阶仪测出不同实验条件淀积速率变化的规律.同时,结合不同条件下控制过程的反应机制,对结果进行了定性的讨论.
The SiH_4 reaction was induced by CWCO_2 laser and the polycrystalline silicon film was deposited on the quartz substrate. The Raman spectra showed that the longer the laser-induced reaction time, the higher the crystallinity. The SEM results showed that the surface structures were different at different deposition times. The step-meter was used to measure the variation of deposition rate under different experimental conditions.At the same time, the results were discussed qualitatively in combination with the reaction mechanism under different conditions.
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