论文部分内容阅读
主要研究了LH4007RH—CMOS器件与^60Coγ射线辐照总剂量、剂量率以及辐照后退火时间和温度的响应关系。试验研究表明,按照美军标1019.4试验步骤,如果器件经0.5~3Gy/s高剂量率辐照后再附加25℃的室温退火,评估氧化物陷阱电荷效应就显得不太保守。对于评估器件空间界面态效应,建议仍使用一星期100℃的高温退火。