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主要研究了LH4007RH—CMOS器件与^60Coγ射线辐照总剂量、剂量率以及辐照后退火时间和温度的响应关系。试验研究表明，按照美军标1019．4试验步骤，如果器件经0．5～3Gy／s高剂量率辐照后再附加25℃的室温退火，评估氧化物陷阱电荷效应就显得不太保守。对于评估器件空间界面态效应，建议仍使用一星期100℃的高温退火。