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为了解决微电子制造技术中纳米尺度半导体刻线边缘粗糙度（line edge roughness, LER）的测量问题，笔者提出了基于平稳小波变换的线边缘粗糙度分析方法．首先，使用原予力显微镜测量硅刻线形貌，通过图像处理与阈值方法提取出线边缘粗糙度特征．然后采用基于平稳小波变换的多尺度分析确定线边缘粗糙度特征的能量分布，给出了线边缘粗糙度的多尺度表征参数，包括特征长度和粗糙度指数．仿真出具有不同粗糙程度的线轮廓，计算出其粗糙度指数分别为0．72和6．05，表明该方法可以有效地反映出线边缘的不规则程度，并提供直