【摘 要】
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<正> 近年来,LEC法高质量SI-GaAs单晶被广泛用作微波器件、光电器件、高速数字集成电路和光电集成电路的衬底。目前,待解决的问题之一是消除SI-GaAs晶片上制造集成电路时FET
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<正> 近年来,LEC法高质量SI-GaAs单晶被广泛用作微波器件、光电器件、高速数字集成电路和光电集成电路的衬底。目前,待解决的问题之一是消除SI-GaAs晶片上制造集成电路时FET阀值电压的不均匀性。而要解决这一问题就要研究GaAs晶体电学性质的均匀性。本文用Vander Pauw法测定了轻掺铬SI-GaAs单晶体的电阻率、霍耳迁移率和载流子浓度的横向和纵向分布,用变
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