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通过偏压激波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）成功地在Ｓｉ（１００）上生长出具有（１００）织构的金刚石薄膜。阐述了实验过程，讨论了偏压对（１００）织构金石薄膜成核与生长条件的影响，偏压有助于成核密度的提高和有利于（１００）织构生长，采用ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ光谱等对所得榈进行了表征。
偏压对MPCVD金刚石薄膜织构生长的影响
【摘 要】
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通过偏压激波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）成功地在Ｓｉ（１００）上生长出具有（１００）织构的金刚石薄膜。阐述了实验过程，讨论了偏压对（１００）织构金石薄膜成核与生长条件的影响，偏压有助于成核密度的提高和有利
【出 处】
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材料科学与工艺
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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上海市自然科学基金!( 915 2 11115 )
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