【摘 要】
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通过对碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和物理不可克隆函(Physical Unclonable Functions,PUF)电路的研究,提出一种高性能三值SRA
【机 构】
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宁波大学电路与系统研究所,浙江宁波315211
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通过对碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和物理不可克隆函(Physical Unclonable Functions,PUF)电路的研究,提出一种高性能三值SRAM-PUF电路结构.该电路结构首先利用交叉耦合三值反相器产生随机电流,并对其电流进行失配分析；然后结合三值SRAM单元的电流竞争得到随机的、不可克隆的三值输出信号“0”“1”和“2”.在32nm CNFET标准模型库下,采用HSPICE对所设计的三值SRAM-PUF电路进行Monte Carlo仿真,分析其随机性、唯一性等性能.模拟结果表明所设计的三值SRAM-PUF电路归一化随机性偏差和唯一性偏差均为0.03％,且与传统二值CMOS设计的PUF电路相比工作速度提高33％,激励响应对数量为原来的(1.5)n倍.
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