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讨论了用射频磁控溅射技术制备的PLZT(7.5/65/35)薄膜的结构和铁电性能。研究表明,在不同的基片温度下所获得的薄膜都有(210)和(002)取向的钙钛矿结构,但取向不同,峰值差别很大;经过退火处理后薄膜结构差异变小;添加少量的PbO有利于薄膜的钙钛矿晶相的生长,PLZT薄膜的微观结构均匀,电性能较好。