室温合成的钙钛矿量子点及其电致发光二极管

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jrwal

【摘要】

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采用室温合成法制备出CsPbBr3钙钛矿量子点,并采用乙酸乙酯对量子点进行了一次、二次和三次清洗,以控制其表面配体密度.然后,利用合成并经过清洗的钙钛矿量子点制备了结构为I

【作者】

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王振卢永生陈家雯肖飞梁真山彭悦陈威威张文霞戚飞张楠张丽

【机构】

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重庆邮电大学光电工程学院微电子工程重点实验室,重庆400065;重庆市南岸区教师进修学院,重庆400060

【出处】

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半导体光电

【发表日期】

：

2021年1期

【关键词】

：

钙钛矿量子点清洗次数发光二极管

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采用室温合成法制备出CsPbBr3钙钛矿量子点,并采用乙酸乙酯对量子点进行了一次、二次和三次清洗,以控制其表面配体密度.然后,利用合成并经过清洗的钙钛矿量子点制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PTAA/CsPbBr3 QD/TPBi/LiF/Al 的电致发光二极管(QLED).研究了经不同清洗次数的量子点材料制备的器件的光电性能.结果表明,清洗2次的量子点在电荷注入与溶液稳定性之间得到平衡,利用其制备的钙钛矿QLED获得了最大亮度为1 405 cd/m2、外量子效率为0.6％、色坐标为(0.127,0.559)的绿光发射.

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