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为分析寄生参数对开关过程中碳化硅（SiC）MOSFET栅源极电压的影响,首先建立了基于同步Buck变换器的SiC MOSFET开通和关断过程的数学模型;然后通过仿真和实验结果对比,验证了寄生参数带来的影响;最后分析了开关过程中各寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压的影响。
寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究
【摘 要】
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为分析寄生参数对开关过程中碳化硅（SiC）MOSFET栅源极电压的影响,首先建立了基于同步Buck变换器的SiC MOSFET开通和关断过程的数学模型;然后通过仿真和实验结果对比,验证了寄生
【机 构】
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北京交通大学电气工程学院北京100044
【出 处】
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电工技术学报
【发表日期】
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2016年13期
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