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通过GaP1—xNx(x＝0.05％-3．1％)混晶的低温光致发光(PL)谱，探讨了N在不同组分GaNxP1-x混晶的发光特性中所起的作用．在低组分(x＝0．05％-0.81％)下，GaNxP1-x的PL谱由NNi对及其声子伴线的发光组成；在高组分(x≥l.3％)下，NNi对之间相互作用形成的与N有关的杂质带导致了GaNxP1-x混晶的带隙降低．同时，在x＝0．12％的GaNxP1-x中，得到了清晰的NN3零声子线及其声子伴线，从而直接证实了NN3具有与孤立N中心完全相似的声子伴线.