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期刊论文
金属/有机半导体界面偶极层的研究
金属/有机半导体界面偶极层的研究
来源 :原子与分子物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:daxian005
【摘 要】
:
利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密
【作 者】
:
潘艳芝
李宏建
周伟昌
戴小玉
【机 构】
:
湖南大学应用物理系,中南大学物理科学与技术学院
【出 处】
:
原子与分子物理学报
【发表日期】
:
2006年6期
【关键词】
:
金属/有机半导体界面
偶极能
功函数
Metal/organic semiconductor interface
interfacial dipole pot
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利用金属/无机半导体界面模型对金属/有机半导体界面偶极层进行了数值研究.讨论了界面处金属/有机半导体原子间距与化学键密度对界面偶极能的影响;分析了界面层电场强度随化学键密度变化的原因;对界面偶极能与金属功函数之间的关系给出了合理的解释.
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