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在LiNbO3 中掺进MgO( 3.5mol% )和La2 O3 采用提拉法生长Mg :La :LiNbO3 晶体。晶体生长工艺条件 :轴向温度梯度为 30～ 40℃ /cm ,径向温场均匀对称 ,采用 0 .5～ 1mm/h低的晶体生长速度 ,合适的 1 5～ 2 0r/min转速 ,保证平坦的固液界面。生长晶体的尺寸为2 5mm～30mm。晶体的极化温度为 1 2 2 0℃ ,极化电流密度为 5mA/cm2 。采用直接观测透射光斑变形法测试Mg :La :LiNbO3 晶体的抗光折变至散射能力。以