【摘 要】
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根据国际半导体技术发展蓝图(international technology roadmap for semiconductor,ITRS),CMOS技术将于2009年进入32nm技术节点.然而,在CMOS逻辑器件从45nm向32nm节点按比例
【机 构】
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中芯国际半导体制造公司,北京大学,
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根据国际半导体技术发展蓝图(international technology roadmap for semiconductor,ITRS),CMOS技术将于2009年进入32nm技术节点.然而,在CMOS逻辑器件从45nm向32nm节点按比例缩小的过程中却遇到了很多难题.为了跨越尺寸缩小所带来的这些障碍,要求把最先进的工艺技术整合到产品制造过程中.文中总结并讨论了可能被引入到32nm节点的新的技术应用,涉及如下几个方面:浸入式光刻的延伸技术、迁移率增强衬底技术、金属栅/高介电常数栅介质( metal/high-k,MHK)栅结构、超浅结(ultra-shallowjunc-tion,USJ)以及其他应变增强工程的方法,包括应力邻近效应(stress proximity effect,SPT)、双重应力衬里技术(dual stress liner ,DSL)、应变记忆技术(stress memorization technique,SMT)、STI和PMD的高深宽比工艺(high aspect ratio process,HARP)、采用选择外延生长(selective epitaxial growth,SEG)的嵌入Si Ge(pFET)和SiC(nFET)源漏技术、中端( middle of line,MOL)和后端工艺(back-end ofline,BEOL)中的金属化以及超低k介质(ultra low-k,ULK)集成等问题.
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