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利用低温生长技术抑制Ｓｂ偏析，实现了Ｓｂ的δ掺杂。同步辐射Ｘ射线反射率测量表明Ｓｂ被限制在很窄的范围，约２个内。基于量子阱可作为一个“大陷阱”的概念，测量了Ｐ型Ｂδ掺杂材料的深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ），得到δ掺杂量子阱的子能级位置。自渝计算ＤＬＴＳ信号来自于δ掺杂量子阱的基态能级上的空以阱顶的发射。