【摘 要】
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使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,
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使用钠熔液液相外延在GaN/蓝宝石衬底上生长出GaN晶体;研究晶体生长速度与生长压力的关系,使用DCXRD对样品进行表征,发现在氮气压力为3.8MPa,温度为800℃的条件下,外延速度较快且结晶质量较高;研究还发现GaN晶体外延层的生长速率不但与溶液中N的输运有关,还与熔液中N的浓度有关。
The growth of GaN crystal on GaN / sapphire substrate by liquid-phase epitaxy with sodium melt was studied. The relationship between the growth rate and the growth pressure was studied. The samples were characterized by DCXRD and found that under the conditions of nitrogen pressure of 3.8 MPa and temperature of 800 ℃ , The epitaxial speed is faster and the crystal quality is higher. The study also found that the growth rate of GaN crystal epitaxial layer is not only related to the transport of N in solution, but also to the concentration of N in the melt.
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