有序介孔硅-壳聚糖修饰电极差分脉冲溶出伏安法测定锡(Ⅱ)含量

来源 :沈阳师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunvoo
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实验利用介孔泡沫硅(MCF)具有较大孔径、大的比表面积、高吸附性能的特点,以壳聚糖为粘接剂,将MCF成功修饰到玻碳电极上,制备了MCF/Chit/GC电极。使用差分脉冲溶出伏安技术,研究了锡(Ⅱ)在该电极上的溶出伏安特性。实验结果表明:MCF的存在,改变了常规平面电极对锡离子检测不灵敏的状况。利用锡(Ⅱ)浓度与其峰电流之间的线性关系,以MCF/Chit/GC为工作电极,可实现浓度范围为6.25~43.75μmol/L的锡(Ⅱ)的测定。
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