【摘 要】
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对于单纵模半导体激光器(LD),应用往返两次通过一个声光频移系统的方法,结合铯原子饱和吸收稳频技术,实现了激光频率相对于铯原子D2线62S1/2(F=4)→62P3/2(F′=5)超精细跃迁的偏频锁定。其特点是可通过调谐声
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对于单纵模半导体激光器(LD),应用往返两次通过一个声光频移系统的方法,结合铯原子饱和吸收稳频技术,实现了激光频率相对于铯原子D2线62S1/2(F=4)→62P3/2(F′=5)超精细跃迁的偏频锁定。其特点是可通过调谐声光频移系统的工作频率方便地改变偏频量,而不需要对光路进行再调整
For a single longitudinal mode semiconductor laser (LD), a two-time reciprocal pass of an acousto-optic frequency shift system and a cesium atomic saturation absorption stabilization technique were used to achieve a laser frequency of 62S1 / 2 (F = 4 ) → 62P3 / 2 (F ’= 5) Bias Locking of Hyperfine Transitions. It is characterized by the frequency of sound and frequency shift system can be easily adjusted to change the frequency offset, without the need to re-adjust the optical path
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