论文部分内容阅读
本文对以ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物硅场效应薄膜晶体管）技术提高ＦＥＤ（场致发射显示）等器件的ＦＥＡ（场致发射阵列）阴极发射电流的稳定性作了说明，并就对ＭＯＳＦＥＴ技术的改进作了介绍。
在FEA中使用的MOSFET技术
【摘 要】
：
本文对以ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物硅场效应薄膜晶体管）技术提高ＦＥＤ（场致发射显示）等器件的ＦＥＡ（场致发射阵列）阴极发射电流的稳定性作了说明，并就对ＭＯＳＦＥＴ技术的改进作了介绍。
【机 构】
：
华东电子集团公司
【出 处】
：
光电技术
【发表日期】
：
1999年2期
其他文献
“我平时不太看电视剧．偶尔香港和韩国的电视剧我会看一点，但新闻我依然每天看。”这是我坐在她的书房兼画室里喝下午茶时．我们聊的第一个话题，电视与新闻。
本文给出了动态色分离（DCS）显示器的性能要求与对其的测量，对20V型的器件作了说明，对其电子枪与荧光屏的测量也给出了一个标准；据此标准，即可推出对全色阴极射线管显示器的要求；对DC
郑太朴(1901—1949)名松堂，字贤宗，号太朴，近代著名数学家、社会活动家。早年参加中国共产党，大革命时期在国民革命总司令部政治部工作，1930年参加农工党的创建，任中央干部会干事、