【摘 要】
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采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/AlxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系.研究
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采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/AlxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系.研究结果表明,基态能量、第一激发态能量、基态结合能和1s→2p ±跃迁能量随着阱宽L 的增大而减小,最后接近于GaN中3D值.GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱对杂质态的束缚程度比GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此,在GaN/Al0.3-Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/Al0
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