GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jeff2047
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本文报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展.通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9×10(10)cm·Hz(1/2)/W,电压响应率为1.3×104V/W.各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于18%,串音小于0.45%,在最大探测率偏置条件下,器件的暗电流密度为6.2×10(-6)A/cm2. This paper reports the progress of 10 × 16 element 2D GaAs / AlGaAs MQW detectors. Through the grating coupling of the surface and the mode of vertical incidence, the detection rate is 2.9 × 10 (10) cm · Hz (1/2) / W at T = 80K and the voltage response rate is 1.3 × 104V / W . The deviation of detection rate and voltage response rate between test units is less than 18% and the crosstalk is less than 0.45%. Under the maximum detection rate bias, the device’s dark current density is 6.2 × 10 -6 A / cm2.
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