在现有存储体系中，磁带、硬盘和最近几年兴起的SSD（固态硬盘）各有所长：磁带存储成本最低，但存取速度比较慢；以SSD(固态硬盘)为代表的闪存成本较高，但速度快；硬盘介于两者之间。与其他两种存储介质相比，闪存的相关技术还在继续进步之中，成本还有下降的空间。因此，人们对于闪存技术非常看好。
　　不过，闪存要真正取代磁带和硬盘，目前面临的挑战还不少，比如，由于光刻技术以及成本方面的原因，闪存无法继续缩小尺寸的同时保证现有的性能，而且生产实用的大容量闪存也存在一定困难。另外，在耐用性上闪存也要比静态随机读写存储器(SRAM)和动态随机存储（DRAM）差，随着时间的推移，它的可靠性会越来越低。基于这些原因，惠普、IBM和其他一些存储巨头正在加紧研发新的有望取代闪存的存储技术，以满足消费者的需求。
　　
　　RRAM：更聪明的内存
　　
　　惠普和海力士（Hynix）半导体公司最近宣布要在RRAM（电阻式记忆体）的密度和能效方面开展合作，以加速这种新技术进入市场的脚步。
　　RRAM（也称ReRAM）目前还处在一个相对早期的发展阶段，不过惠普、夏普、三星等公司都在这种技术上投入了大量人力和物力，在过去的10年里分别取得了很多与RRAM有关的专利。
　　惠普的RRAM技术最关键部分是一种称为忆阻器的新存储介质，其得名是因为数据的传输依靠电阻的变化。忆阻器是一种非易失性内存，也就是在不供电时也可以保留信息。忆阻器还可以执行计算，这是其他类型的内存所没有的。这一特性使得惠普公司相信有朝一日它能取代单一功能的芯片，既能存储数据还能完成计算，而不再需要一个专用的CPU。惠普研究人员还表示，他们已经研发出了一种多层架构，可以在一个单层芯片上堆叠多层忆阻器以节省空间。
　　虽然科学家大约40年前就已经知道忆阻器的工作原理，但直到最近几年，他们才设计出忆阻器的集成电路，而且还没有完全掌握其控制过程。
　　与闪存可擦写百万次（如数码相机照相和删除照片）相比，忆阻器生命周期要长得多。如今，闪存在记忆棒和数码相机领域应用得非常广泛。然而，在其他一些领域由于寿命的关系，闪存的应用就远不是那么普及了。
　　虽然电阻式记忆体和忆阻器的未来究竟如何还不太明确，但惠普公司在这种技术上制定了很多开发计划。目标之一就是争取在3年内实现该项技术的商业化，生产出一种比闪存的存取速度更快、更耐用，同时更节能、具有更高存储密度的存储介质，其更长远的计划则是让电阻式记忆体与闪存竞争甚至与DRAM、硬盘进行竞争。
　　当然，要与闪存、硬盘和DRAM竞争，电阻式记忆体或者说忆阻器面临着不少挑战。比如，要想与DRAM竞争，还需要提高电阻式记忆体的耐用性。像进行气候模型分析的超级计算机使用的DRAM在3