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本文采用暗ｍ线法，通过测量棱镜耦合器底面反射光斑中的模式吸收线的位置，来计算ＹＩＧ磁光薄膜的折射率和厚度。此方法特点是只需将光耦合进磁光薄膜而不考虑薄膜本身的光损耗，因此它既可测量透明薄膜的参数也可测量非透明薄膜的参数。
用暗m线法测量YIG磁光薄膜的折射率和厚度
【摘 要】
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本文采用暗ｍ线法，通过测量棱镜耦合器底面反射光斑中的模式吸收线的位置，来计算ＹＩＧ磁光薄膜的折射率和厚度。此方法特点是只需将光耦合进磁光薄膜而不考虑薄膜本身的光损耗，因此它既
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系
【出 处】
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磁性材料及器件
【发表日期】
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1995年3期
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