【摘 要】
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采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征．结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒．并
【机 构】
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河北科技大学 理学院,河北科技大学 化学与制药工程学院 石家庄 050018 河北科技大学化学与制药工程学院,石家庄 050018,石家庄 050018
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采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征．结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒．并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE．CdSe／PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移．
Different CdSe nanorods were prepared by hydrothermal method and characterized by TEM, SEM, XRD and TGA-DTA. The results show that the reaction temperature is 240 ℃ to generate wurtzite CdSe nanorods and the reaction temperature is 200 ℃ to produce zinc blende CdSe nanorods. The optical and electrical properties of the nanorods were measured. The photoelectric conversion efficiency (IPCE) of the wurtzite CdSe nanorod electrodes was better than that of the sphalerite CdSe nanorod electrodes. The wavelength of the CdSe / PMeT composite membrane electrode at the time of maximum photoelectric conversion efficiency is red-shifted.
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