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用真空蒸发聚合法合成了亚微米厚度的芳香族聚脲薄膜。红外吸收和元素分析表明,沉积原状薄膜处于低聚状态(3-6单体分子),它的香分子化是在热极化或热处理过程中完成的。极化后的聚脲高分子在室温和10Hz的频率下测定应力压电常数,应变压电常数,弹性常数,热释电系数,介电常数和介电损耗分别为20mC/m^2,10pc/N,2.2GN/m^2,18μC/m^2K,4.0和0.005。芳香族聚脲薄膜的压电和热释