【摘 要】
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本文提出的用 O_2/N_2进行中间氧化(退火)的两步热氮化工艺,能将 SiO_xN_y-Si 系统的界面态密度和固定电荷密度减少到可与干氧氧化膜相比拟的程度,且保持了 SiO_xN_y 膜优异
【机 构】
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华南理工大学物理系,华南理工大学物理系,华南理工大学物理系,
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本文提出的用 O_2/N_2进行中间氧化(退火)的两步热氮化工艺,能将 SiO_xN_y-Si 系统的界面态密度和固定电荷密度减少到可与干氧氧化膜相比拟的程度,且保持了 SiO_xN_y 膜优异的介电特性,是一种比再氧化工艺更优越的新技术。结果还表明,随着 O_2/N_2处理时间的增长,SiO_xN_y-Si 系统的界面态密度单调地减小;但平带电压的绝对值在初始阶段增大,然后再单调减小。
The proposed two-step nitridation (annealing) O_2 / N_2 thermal nitridation process can reduce the interfacial and fixed charge densities of SiO_xN_y-Si system to the same extent as that of dry oxide films and maintain The excellent dielectric properties of SiO_xN_y film is a new technology superior to the reoxidation process. The results also show that the interface state density of SiOxNy-Si decreases monotonously with the increase of O2 / N2 treatment time, but the absolute value of flat band voltage increases in the initial stage and then monotonically decreases.
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