一种低工艺敏感度,高PSRR带隙基准源

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:striveadvance
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实现了一种高精度带隙基准源,该基准源在预调节电路中应用了电源行波减法技术,显著改善了输出电压的电源抑制比。提出了采用电流负反馈技术稳定预调节电路电流的方法,降低了带隙基准的温度特性和电源抑制比对阚值电压的敏感度。考虑晶体管阈值电压发生士20%变化的情况下,仿真得到的基准源的温度系数和电源抑制比变化分别只有0.11ppm和7dB。测试结果表明,该基准源在-20~100℃的范围内的有效温度系数为25.7ppm/℃,低频电源抑制比为-68dB。其功耗为0.5mW,采用中芯国际0.35um5-V混合信号CMOS工
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