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用MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN／GaN HEMT材料．高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm^2／（V·s），相应背景电子浓度为1．52×10^16cm^-3；非有意掺杂高阻GaN缓冲层的室温电阻率超过10^8Ω·cm，相应的方块电阻超过10^12Ω／□．50mm HEMT外延片平均方块电阻为440．9Ω／□，方块电阻均匀性优于96％．用此材料研制出了0．2μm栅长的X波段HEMT功率器件，40μm栅宽的器件跨导达到250mS／