【摘 要】
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采用低温生长的GaAs晶体作为被动饱和吸收体兼输出镜，实现了Nd：GdYVO4激光器调Q锁模运转。研究了Nd：GdYVO4激光器的基频运转特性及调Q锁模输出特性。实验结果表明，当用平面镜作为
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采用低温生长的GaAs晶体作为被动饱和吸收体兼输出镜，实现了Nd：GdYVO4激光器调Q锁模运转。研究了Nd：GdYVO4激光器的基频运转特性及调Q锁模输出特性。实验结果表明，当用平面镜作为输出镜及泵浦功率为10W时，获得激光的输出功率是3.5W，光-光转换效率是35%；当用GaAs作为输出镜时，激光器调Q运转阈值是1.2W，而当泵浦功率是10W时，输出功率是1.88W，锁模脉冲的重复频率为114MHz。激光调Q锁模深度在7W时达到100%。泵浦功率为8W时，输出功率为1.58W，调Q包络脉冲的重复频率为
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