论文部分内容阅读
以SnCl4为锡源，Gd3＋为掺杂离子，采用水热法制备出不同掺杂浓度的SnOz纳米晶．运用XRD、TEM、FT-IR以及充放电测试等手段对其结构、形貌、电化学性能进行了表征．结果表明所制备样品为四方晶系金红石型SnOz，Gd3＋以替位方式掺入SnOz纳米晶中．当名义Gd3＋掺杂浓度达到15％时，Sn02纳米颗粒转变为纳米棒．电化学性能表征发现Sn02纳米棒的首次充放电容量、循环稳定性以及库伦效率都要高于纳米颗粒，并且经过50次循环后Sn02纳米棒的比容量仍保持有370mAh／g．研究结果表明，由于掺杂的作