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本文对三沟道体电荷耦合器件(BCCD)在X光区的光电特性进行了数值模拟。结果表明,硅对X光的吸收曲线决定了硅制的三沟道BCCD不能在X光区实现多光谱成像。通过理论分析,找出了能保证BCCD在X光区工作的衬底材料所应满足的吸收曲线。利用这种新材料制成的三沟道BCCD,其光敏特性可以分别在1.8keV、1.2keV和0.6keV处出现最大值。