【摘 要】
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一种新颖的GaN工艺应用于X波段高功率、高效率功率管,适合于雷达和遥感应用。不同于传统的GaN器件工作在28~40V,该器件工作大于50V,以达到高功率密度、效率和低输出电容。根
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一种新颖的GaN工艺应用于X波段高功率、高效率功率管,适合于雷达和遥感应用。不同于传统的GaN器件工作在28~40V,该器件工作大于50V,以达到高功率密度、效率和低输出电容。根据指标要求进行管芯结构设计,该大功率GaNHEMT内匹配器件采用双胞胞管芯功率合成技术,总栅宽为80mm×2。在50V漏电电压35μs周期、5%占空比测试条件下,10~11GHz频段内功率均大于1100W,功率增益大于7.5dB,在10.6GHz频点输出功率大于1300W,增益8.2dB,带内附加效率均大于35%,最高效
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