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利用化学气相沉积法,成功地制备了掺Sb的SnO_2织构膜,并对其电学、光学和结构特性,以及它们与工艺参数的关系进行了分析研究。在最佳工艺条件下,这种膜的方块电阻达10Ω/,直射透过率约为80％(波长800nm)。在这种织构膜上制作的a-Si 太阳电池,其开路电压和短路电流明显地高于在光面ITO/SnO_2复合膜上制作的电池。