【摘 要】
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Ⅲ族氮化物半导体具有宽禁带和直接带隙,导带能谷间距大,强场输运特性好.AlGaN/GaN异质结产生高密度的二维电子气,屏蔽了杂质和缺陷的散射,改善了低场输运性能.它弥补了宽禁
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Ⅲ族氮化物半导体具有宽禁带和直接带隙,导带能谷间距大,强场输运特性好.AlGaN/GaN异质结产生高密度的二维电子气,屏蔽了杂质和缺陷的散射,改善了低场输运性能.它弥补了宽禁带半导体输运性能差的缺点,已研制成大功率的HFET.利用强场下的速度过冲有望消除阴极端的速度凹坑,显著改进器件性能.电子气的强二维性使输运特征依赖于器件结构和工作状态,器件设计变为一个剪裁电子状态和输运特性的复杂工程.文中综述了Ⅲ族氮化物及其二维电子气的输运特性,讨论了从输运特性出发,优化HFET性能的问题.
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