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运用第一性原理研究了氮掺杂对碳化硅纳米管场发射性能影响。计算结果表明，在外加电场作用下，体系的态密度均向低能端移动，赝能隙及最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙减小，且 Mulliken 电荷在帽端聚集程度增加。态密度、最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙及 Mulliken 电荷分析表明，氮掺杂改善了碳化硅纳米管的场发射性能，且 N替代顶层五元环中 Si原子体系场发射性能最优。