论文部分内容阅读
采取改变采面运输方式，改大断面顺槽为小断面顺槽，增加顺槽数量，缩小采面斜长，解决在构造复杂区长壁式采煤面，开采薄至极薄煤层时的残采丢煤问题。
采用小顺槽短壁式采煤法解决残采丢煤问题
【摘 要】
：
采取改变采面运输方式，改大断面顺槽为小断面顺槽，增加顺槽数量，缩小采面斜长，解决在构造复杂区长壁式采煤面，开采薄至极薄煤层时的残采丢煤问题。
【机 构】
：
福建省永安市煤管局
【出 处】
：
煤炭技术
【发表日期】
：
1998年4期
其他文献
市场调查机构iSuppli调查指出，有鉴于TFTLCD面板价格开始下探，质量较高的TFTLCD手机面板渐成市场趋势，可望替换成本较低的CSTN。2004年彩屏手机普及率高达68％，iSuppli预估到2008年
本文提出了信号总线计算机群集控制系统的概念。通过对系统结构、信号传递方法、数据采集和处理等方面的分析，建立了以信号总线作为信号传递的通道；以并行的信号总线和动力总线
日本尔必达（Elpida Memory）2008年3月将开始完全使用300mm晶圆生产DRAM芯片，以降低单位芯片成本，应对价格下滑局面。尔必达是日本唯一一家生产电脑和手机DRAM芯片的厂商。它以前
论述工业锅炉节能的方向和指标.主要从减少排烟损失、降低锅炉排烟温度,合理组织燃烧,加强管理,改进操作,降低散热损失等几方面简要地进行论述,确保工业锅炉节能.
底部抗反射涂层(BARCs)和光刻胶已被广泛地用于半导体制造中的光刻加工工艺中.BARCs在光刻中的主要好处就是聚焦/曝光宽容度的改善,提高了关键尺寸的控制,消除了反射凹口,防
单步循环过滤,用来去除胶体硅基化学机械抛光(CMP)磨料中尺寸过大的微粒.已证实适当的过滤获得了尺寸过大粒子的快速去除,而不改变CMP磨料中固体粒子浓度的百分比.为模拟CMP
奇梦达公司和南亚科技公司日前共同宣布已成功获得75nmDRAM沟槽式（Trench）技术验证，第一个75nm产品为512MbDDR2内存芯片。该新技术平台和产品是双方』乓同在德国德累斯顿（Dresden
重点讨论了化合物半导体材料加工中的先进光刻技术应用现状.薄形衬底材料在高频及功率器件中的需求,在处理非常易碎和昂贵的衬底时出现了一些新的问题.这种损伤的风险由于要