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在LN中掺进x(MgO)=3%和x(In2O3)=1%、2%,用Czochralski法生长Mg:1%In:LN和Mg:2%IN::LN晶体。以光斑畸变法测试晶体光损伤阈值,通过质子交换技术(PE)制备LN和Mg:In:LN晶体光波导基片,用全息法研究晶体波导基片的光损伤。结果表明,PC:Mg:1%In:LN的光损伤阈值比PE:LN提高2个数量级以上,PE:Mg:2%In:LN的光损伤阈值比PE: