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在ＬＮ中掺进ｘ（ＭｇＯ）＝３％和ｘ（Ｉｎ２Ｏ３）＝１％、２％，用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长Ｍｇ：１％Ｉｎ：ＬＮ和Ｍｇ：２％ＩＮ：：ＬＮ晶体。以光斑畸变法测试晶体光损伤阈值，通过质子交换技术（ＰＥ）制备ＬＮ和Ｍｇ：Ｉｎ：ＬＮ晶体光波导基片，用全息法研究晶体波导基片的光损伤。结果表明，ＰＣ：Ｍｇ：１％Ｉｎ：ＬＮ的光损伤阈值比ＰＥ：ＬＮ提高２个数量级以上，ＰＥ：Ｍｇ：２％Ｉｎ：ＬＮ的光损伤阈值比ＰＥ：