【摘 要】
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本文采用单源真空蒸发法制备了ZnSe薄膜,利用电子探针、X射线粉晶衍射等现代测试手段研究了蒸发温度（700-1050℃）、基片温度（0-200℃）、基片材料（单晶硅、玻璃）以及热处理温度（300-4
【机 构】
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中国地质大学（北京）珠宝学院,中国地质大学（北京）材料科学与技术学院,中国地质大学（北京）矿物岩石材料开发应用国家专业实验室
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本文采用单源真空蒸发法制备了ZnSe薄膜,利用电子探针、X射线粉晶衍射等现代测试手段研究了蒸发温度（700-1050℃）、基片温度（0-200℃）、基片材料（单晶硅、玻璃）以及热处理温度（300-400℃）等因素的改变对ZnSe薄膜的成份和结构的影响规律,建立了单源真空蒸发沉积ZnSe薄膜及热处理的实验方法。
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