【摘 要】
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基于一个典型的0.13μm绝缘体上硅,射频开关电路工艺流程,分析了离子掺杂工艺流程对射频开关导通电阻R（on）和关断电容C（off）的影响。通过N型MOS管的浅掺杂注入后热退火温度和N型M
【机 构】
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上海理工大学光电信息与计算机工程学院,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司研发部
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基于一个典型的0.13μm绝缘体上硅,射频开关电路工艺流程,分析了离子掺杂工艺流程对射频开关导通电阻R（on）和关断电容C（off）的影响。通过N型MOS管的浅掺杂注入后热退火温度和N型MOS管浅掺杂能量的分批实验,证实了退火温度可影响射频开关的导通电阻和关断电容。进一步实验结果显示,浅掺杂注入的砷（As）和磷（P）注入的剂量是主导因素,各自对导通电阻和关断电容值的影响均为线性且趋势相反,为基于0.13μm SOI的射频开关性能的优化提供了依据。
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