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用一新的工艺解析模型求得双掺杂单结型p—n结空间电荷区静态特性的一般理论。基于对C—V曲线之“∫”形陡变区的定量分析,阐述了该理论在电调变容管中的实用结果,还给出器件的优化设计考虑。
双掺杂单结型p—n结空间电荷区静态特性理论及其实用
【摘 要】
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用一新的工艺解析模型求得双掺杂单结型p—n结空间电荷区静态特性的一般理论。基于对C—V曲线之“∫”形陡变区的定量分析,阐述了该理论在电调变容管中的实用结果,还给出器件
【机 构】
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辽宁晶体管厂锦州121001
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1992年3期
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