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用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅（PS，Porous Silicon）样品，然后以PS为衬底用脉冲激光沉积（PLD）的方法在100℃、200℃ 和300℃下生长ZnS薄膜。X射线衍射（XRD）结果表明，样品都在28．5°附近有一个较强的衍射峰，对直于β-ZnS（111）晶向，说明薄膜沿该方向择优取向生长，但由于衬底PS粗糙的表面结构，衍射峰的半高全宽（FWHM）较大。随着ZnS薄膜生长温度的升高，薄膜的衍射峰强度逐渐增强。扫描电子显微镜（SEM）像显示，随着薄膜生长温度的升高，构成薄膜