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用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS,Porous Silicon)样品,然后以PS为衬底用脉冲激光沉积(PLD)的方法在100℃、200℃ 和300℃下生长ZnS薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明,样品都在28.5°附近有一个较强的衍射峰,对直于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向择优取向生长,但由于衬底PS粗糙的表面结构,衍射峰的半高全宽(FWHM)较大。随着ZnS薄膜生长温度的升高,薄膜的衍射峰强度逐渐增强。扫描电子显微镜(SEM)像显示,随着薄膜生长温度的升高,构成薄膜