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用数值计算方法详细模拟了室温及低温（７７Ｋ）下ＶＬＳＩ电路中金属互连线的寄生电容和时间延迟，得到了金属互连线的几何结构对寄生效应的影响。结果表明，互连线宽Ｗ同互连线节距Ｐ之经为０．５～０．６是获得最小时间延迟的最佳尺寸。模拟还给出了用铜代替铝金属线及用低介电常数电介质（εｌｏｗ．ｋ＝０．５ＥＳｉＯ２）代替ＳｉＯ２后，在室温和低温条件下寄生电容及延迟的改善情况。