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介绍了对称自电光效应器件（S—SEED）的基本结构，通过等效纯电容模型对其结构进行了分析，采用直线法和N段折线法近似得出了S-SEED的电压-时间（V-t）特性表达式。在不同分析方法下利用MATLAB对其性能进行了仿真和分析，比较了S-SEED的开关性能，结果表明采用直线法所达到的时间精度可以满足实际需要；对S—SEED在不同入射功率和入射光强比下的开关性能进行了比较，发现与增大入射功率相比，增大入射光强比能更有效地提高器件性能。