【摘 要】
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利用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英基片上沉积了非晶态ZrW2O3薄膜，对不同温度下热处理的薄膜进行了XRD分析；用扫描电镜观察了薄膜的表面形貌，用阻抗分析仪和分光光度计分别研
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利用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英基片上沉积了非晶态ZrW2O3薄膜，对不同温度下热处理的薄膜进行了XRD分析；用扫描电镜观察了薄膜的表面形貌，用阻抗分析仪和分光光度计分别研究了薄膜的介电性能和透光性能。结果表明：非晶态薄膜在740℃热处理3min可以制得具有较好负热膨胀特性的ZrW2O8薄膜，其热膨胀系数为-2．54×10^-5／℃；介电常数和介电损耗均随着频率的增加而减小；在可见光范围内薄膜的透光率达75％。
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