【摘 要】
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研制了一套在物理气相沉积过程中的金属基片控温装置,该装置通过接触导热的方式,可将基片温度在20~350℃之间任意可调,控温误差低于10℃.降温时,通过样品台内循环流动的低温
【机 构】
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深圳职业技术学院深圳现代设计与制造技术重点实验室,上海超导科技股份有限公司
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研制了一套在物理气相沉积过程中的金属基片控温装置,该装置通过接触导热的方式,可将基片温度在20~350℃之间任意可调,控温误差低于10℃.降温时,通过样品台内循环流动的低温冷却水带走多余的热量,使温度迅速下降;加热时,利用惰性气体排空样品台内冷却水后,通过红热加热管使基片快速升温.实测结果表明,金属基片表面的最大升温速度和降温速度均达到了3℃/s,样品台和金属基片表面温度具有较好的一致性.
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